AgGa1-xInxSe2相关论文
综合报道了本实验室关于黄铜矿类I-III-VI2型系列晶体的研究进展。采用两温区气相输运温度振荡法合成出高纯、单相、致密的多晶材......
AgGa1-xInxSe2 polycrystals were synthesized by the method of mechanical oscillation and temperature oscillation. X-ray d......
采用B—S法生长出尺寸为Ф12×35mm的AgGa1-xInxSe2（x=0．2）非线性光学晶体．对AgGa1-xInxSe2（x=0．2）多晶进行差热分析．结合测试结果和结......
以高纯单质为原料,按AgGa1-xInxSe2（x=0.4）化学计量配比配料（富1%Se）,在双层石英安瓿中,用机械和温度振荡相结合的方法,合成出高纯单相......
采用Bridgman法生长出尺寸为Ф15mm×45mm外表无裂纹的AgGa1-xInxSe2单晶体，XRD测试表明其峰值尖锐无杂峰，沿晶体生长方向分别于......
AgGa1-xInxSe2 polycrystals were synthesized by the method of mechanical oscillation and temperature oscillation. X-ray d......
为了研究掺杂比及可接受掺杂比对晶体AgGa1-xInxSe2频率转换的影响，依据可接受掺杂比的理论和晶体Sellmeier方程，给出了光学二次谐波......
本实验室用布里奇曼方法成功生长出有应用前景的新型四元非线性AgGa1-xInxSe2晶体，对晶体光学透过，红外低倍显微成像，反射损耗和吸收......
采用改进布里奇曼法生长出外观完整的AgGa1-xInxSe2（x=0.2）单晶锭,晶体的红外透过率低,不能直接用于红外非线性光学器件制备。采用TA......
报道了一种AgGa1-xInxSe2晶体定向加工的新方法，即根据AgGa1-xInxSe2晶体自身解理面，结合晶体标准极图和X射线衍射仪，快速寻找AgGa1-x......
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采用DTA对不同铟含量（x）的AgGa1-xInxSe2多晶熔化和结晶温度进行了测试。结果表明：随着x值的增加其过冷度增大。采用改进的垂直布里奇......
结合差示扫描量热曲线（DSC）和相图确定出热处理的温度范围。分别在真空和AgGa1-xInxSe2（x=0.2,0.6,0.8）多晶粉末包埋下,对AgGa0.4In0.6......
采用改进布里奇曼法生长出外观完整的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)单晶锭,晶体的红外透过率低,不能直接用于红外非线性光学器件制备。采用......
